英飞凌将在奥地利建12英寸氮化镓量产晶圆厂
英飞凌将在欧洲建设全球首个 12 英寸氮化镓功率半导体大规模量产晶圆厂
英飞凌当地时间10月27日宣布，将在欧洲建设全球首个用于生产氮化镓功率半导体的300mm（12英寸）大规模量产晶圆厂。公司计划在2034年前投资约11亿欧元升级奥地利Villach现有洁净室设施，该工厂计划于2027年底投产。欧盟委员会已批准向该扩产计划授予3.19亿欧元国家援助。
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战略研判
基于公开信息英飞凌把 GaN 功率器件从 8 英寸推向 12 英寸量产，单片晶圆产出为 8 英寸的 2.3 倍，若 2027 年底如期投产，可能降低单位芯片成本并扩大其在功率半导体供给中的份额。
奥地利经济部门是否在期限内正式拨付 3.19 亿欧元国家援助；Villach 产线投产后的良率与客户认证进度。
IT之家 10 月 27 日消息，Infineon（英飞凌）当地时间今日宣布，将在欧洲 建设全球首个用于生产氮化镓 (GaN) 功率半导体的 300mm（12 英寸）大规模量产晶圆厂 。 300mm（12 英寸）的单片晶圆芯片产出是 200mm（8 英寸）晶圆的 2.3 倍。更大面积的原料可助力生产工艺改进和效率提升。 作为该计划的一部分， 英飞凌计划在 2034 年前投资约 11 亿欧元 （IT之家注：现汇率约合 82.19 亿元人民币） ， 用于升级其位于奥地利 Villach 的现有洁净室设施 。该工厂计划于 2027 年底投产。 欧盟委员会已批准向英飞凌的 Villach 扩产计划授予 3.19 亿欧元 （现汇率约合 23.84 亿元人民币） 的国家援助，奥地利经济部门预计将在规定的期限内正式履行这项资金承诺。 相关阅读： 《 英飞凌 12 英寸氮化镓晶圆可扩展生产步入正轨，首批样品 2025 年四季度交付 》
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来源：IT之家 · ithome.com