慕尼黑工大与IIT坎普尔研究多层CFET自热与寄生

慕尼黑工业大学与印度理工学院坎普尔分校发表论文《Self-Heating and Parasitic Effects in Multi-Tier CFET Design》，研究多层互补场效应晶体管（CFET）的自热效应，以及中段和后段寄生效应的影响。 研究使用经实验测量校准的TCAD模型，将四层CFET设计与传统两层CFET进行对比分析。论文未在现有报道中给出具体结论或性能数据。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。