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首尔大学HZO铁电电容实现0.6V下42.1ns翻转

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AI 综述

首尔大学牵头的研究团队在《Nature Communications》发表论文,称通过 TiN 电极与界面工程降低界面电压损失,缓解了铁电 Hf0.5Zr0.5O2 电容速度与耐久性之间的矛盾。 论文报告的数据为:0.6V 下极化翻转 42.1ns,1.0V 下 8.1ns;在 0.6V 下以 20% 极化损失为标准,实现数千亿次开关循环,循环测试还达到 10^12 次双极循环而未发生硬击穿。这些性能数据来自该团队的实验报告。

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11月4日
  1. Semiconductor Engineering
    首尔大学在 HZO 铁电电容实现 0.6V 下 42.1ns 翻转

    首尔大学牵头的研究团队在《Nature Communications》发表论文,通过 TiN 电极与界面工程降低界面电压损失,缓解铁电 Hf0.5Zr0.5O2 电容的速度与耐久性矛盾。

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