凌存科技推硅电容与中介层供电互联方案

苏州凌存科技推出系统级交付方案，把高容硅电容、硅中介层与先进封装仿真整合，面向算力芯片客户提供供电与互联方案。公司称，其HD系列硅电容采用12英寸工艺，容值密度最高3500 nf/mm2，等效串联电阻0.9 mOhm-mm2；硅中介层支持最大9层铜加1层铝互联，凸块间距小于40微米。 凌存称，其硅中介层产品分5UTM+内嵌电容1200 nf/mm2与9UTM+内嵌2100 nf/mm2两种平台，对应不同HBM系列需求；公司已与国内多家头部团队合作推进集成稳压器方案。CTO Ablert Lee称，团队在客户项目第一天即介入仿真与选型。上述性能与合作进展均为公司说法。

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