SK海力士以EUV延长6F² DRAM，长鑫推进4F²
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SK海力士以EUV延长6F² DRAM，长鑫推进4F²
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AI 综述
SK海力士计划通过EUV光刻和工艺改进，延长现有6F² DRAM单元架构的使用寿命，同时把4F²和3D DRAM保留在技术路线图中。 与此同时，中国长鑫存储（CXMT）正在推进4F² DRAM。两家公司在下一代DRAM单元架构上的推进方向不同。
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最新进展10月28日 12:22
SK Hynix 借 EUV 延长 6F2 DRAM，CXMT 推进 4F2报道时间线
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10月28日
- DigiTimesSK Hynix 借 EUV 延长 6F2 DRAM，CXMT 推进 4F2
SK Hynix 计划通过 EUV 光刻与制程改进延长现有 6F2 DRAM 单元架构的生命周期，同时将 4F2 与 3D DRAM 保留在技术路线图中。与此同时，中国长鑫存储（CXMT）正在推进 4F2 DRAM。
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