Semiconductor Engineering· Gerard John·· 3 天前
PVTW：将硅片表征从 PVT 扩展到真实工作负载
PVTW: Extending Silicon Characterization From PVT To Real-World Workload
事实摘要
业界提出在传统 PVT（工艺、电压、温度）之外增加工作负载维度，形成 PVTW 表征方法。其思路是用混合架构整合 ATE 的电学精确控制与 SLT 的真实系统运行环境，提供 ATE、SLT 和组合三种模式。组合模式下可针对计算、SRAM、外部存储、PCIe、以太网等负载生成工作负载 SHMOO，定位电压余量差异背后的子系统问题。
原文与核验
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正文 · 原文摘要
Two devices operating at exactly the same voltage, frequency, and temperature can behave differently depending on what they are being asked to do. The post PVTW: Extending Silicon Characterization From PVT To Real-World Workload appeared first on Semiconductor Engineering .
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