英飞凌HiRel推出集成LDO的抗辐射GaN栅极驱动器
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英飞凌HiRel推出集成LDO的抗辐射GaN栅极驱动器
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英飞凌HiRel推出抗辐射单通道GaN栅极驱动器RIC70115，其集成LDO可从4.75 V至15 V输入生成稳定4.8 V栅极驱动电压，无需额外外部元件即可提供该稳压驱动电压。 该器件省去外部偏置稳压器，减少元件数量与物料清单（BOM），英飞凌HiRel称其有助于航天电源设计缩小尺寸、重量和功耗。 配套评估板RIC70115EVAL1已提供，板上搭载两颗RIC70115与两颗IG1NT052N10R GaN HEMT组成半桥。
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最新进展11月5日 16:01
为什么集成栅极驱动稳压对高可靠航天 GaN 设计至关重要报道时间线
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11月5日
- Semiconductor Engineering为什么集成栅极驱动稳压对高可靠航天 GaN 设计至关重要
Infineon HiRel 推出抗辐射单通道 GaN 栅极驱动器 RIC70115，集成 LDO 可从 4.75 V 至 15 V 输入生成稳定 4.8 V 栅极驱动电压。该器件省去外部偏置稳压器，减少元件数量与 BOM，帮助航天电源设计缩小尺寸、重量和功耗。配套评估板 RIC70115EVAL1 已提供，搭载两颗 RIC70115 与两颗 IG1NT052N10R GaN HEMT 组成半桥。
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