Semiconductor Engineering· Maya Chou·· 51 分钟前
为什么集成栅极驱动稳压对高可靠航天 GaN 设计至关重要
Why Integrated Gate Drive Regulation Matters For High Reliability Space GaN Designs
事实摘要
Infineon HiRel 推出抗辐射单通道 GaN 栅极驱动器 RIC70115，集成 LDO 可从 4.75 V 至 15 V 输入生成稳定 4.8 V 栅极驱动电压。该器件省去外部偏置稳压器，减少元件数量与 BOM，帮助航天电源设计缩小尺寸、重量和功耗。配套评估板 RIC70115EVAL1 已提供，搭载两颗 RIC70115 与两颗 IG1NT052N10R GaN HEMT 组成半桥。
原文与核验
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正文 · 原文摘要
Eliminating the need for a separate bias regulator dedicated to the gate driver for a more streamlined power architecture. The post Why Integrated Gate Drive Regulation Matters For High Reliability Space GaN Designs appeared first on Semiconductor Engineering .
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