泰坦未来发布国内首款12英寸多晶碳化硅衬底

湖南泰坦未来科技宣布推出国内首款 12 英寸多晶碳化硅（Poly-SiC）衬底，面向 AI 芯片与先进封装散热。公司称该产品沉积速度达每小时 60 微米、最低电阻率小于 1 毫欧·厘米、孔洞缺陷少于每平方厘米 0.1 个，已通过台积电相关认证测试并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。 该项目目前处于样品验证向小批量试产过渡阶段，公司预计 2027 年后逐步规模化供货；全面投产后可年产 20 万片半导体用高性能碳化硅、碳化钽涂层产品。

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