长鑫科技第六代DRAM工艺平台完成样片验证

长鑫科技在第三季度业绩交流会上称，第六代DRAM工艺技术平台已完成工程样片验证，该平台基于4F²垂直沟道DRAM架构；目前该公司量产的最先进平台仍是第五代，其每片晶圆产出裸片数量较第四代提升至少50%。 长鑫科技称，LPDDR6产品已实现量产，并预计今年年底将采用4F²架构的首代DDR5 RDIMM产品送样，优先用于服务器等高密度需求场景。第六代平台的规模量产时间，长鑫科技表示将根据客户验证进度和市场需求情况稳步推进。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。