长江存储第四座NAND厂拟七成设备国产化
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长江存储第四座NAND厂拟七成设备国产化
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AI 综述
长江存储计划在武汉建设第四座NAND闪存工厂，生产堆叠层数超过300层的芯片，并将国产设备采购比例设定为至少60%、力争70%。据路透社援引知情人士消息，该厂预计明年动工，目前仅与供应商初步讨论，尚未正式下单。 作为对比，其第三座工厂预计今年晚些时候投产，国产设备占比约50%以上。 早先报道称该厂国产设备占比最高70%，后续报道进一步明确为至少60%、力争70%的目标区间。
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最新进展11月6日 17:24
长江存储拟建第四座 NAND 工厂，国产设备占比力争 70%报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月6日
- IT之家长江存储拟建第四座 NAND 工厂，国产设备占比力争 70%
据路透社援引知情人士消息，长江存储计划在武汉建设第四座 NAND 工厂，生产存储单元垂直堆叠层数超过 300 层的芯片。新工厂国产设备采购比例设定为至少 60%，力争达到 70%，预计明年动工，目前仅与供应商初步讨论、尚未正式下单。其第三座工厂预计今年晚些时候投产，国产设备占比约 50% 以上。
- DigiTimes长江存储新 NAND 工厂目标国产设备占比达 70%
长江存储（YMTC）计划其第四座 NAND 闪存工厂最多 70% 的制造设备从国内供应商采购，高于现有工厂的国产设备比例。公司正推进新厂扩产。
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